5月17日，長鑫科技更新科創(chuàng)板招股書，披露了其在2026年第一季度的業(yè)績。其收入508億元，同比增長719.13%；凈利潤330.12億元，同比增長1268.45%；歸母凈利潤247.62億元，同比增長1688.3%。

長鑫科技表示，2026年1-3月，受全球算力需求持續(xù)增長、全球主要廠商產(chǎn)能調(diào)配等因素影響，全球DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求，價格自2025年下半年以來持續(xù)呈現(xiàn)大幅上漲趨勢。同時，隨著公司產(chǎn)銷規(guī)模的持續(xù)增長、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的持續(xù)優(yōu)化，公司營業(yè)收入迅速增長。得益于2026年一季度DRAM產(chǎn)品價格的快速上漲，公司營業(yè)利潤、利潤總額、凈利潤、息稅折舊攤銷前利潤、歸母凈利潤及扣非后歸母凈利潤均同比大幅增長。

作為國產(chǎn)DRAM巨頭，長鑫科技能否繼續(xù)書寫其傳奇故事？

01

中國第一、全球第四的DRAM廠商

長鑫科技自2016年成立，專注于DRAM產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)及銷售，是我國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全的DRAM研發(fā)設(shè)計制造一體化企業(yè)。

在長鑫科技的發(fā)展過程中，合肥國資和朱一明均發(fā)揮著重要作用。

招股書顯示，長鑫科技發(fā)行前由清輝集電、長鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投分別持股21.67%、11.71%、8.73%、8.37%、7.91%，公司無控股股東和實(shí)際控制人。

清輝集電由芯睿投資、長鑫集成、合肥清輝長鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）三名合伙人持股，其中長鑫集成由合肥省國資委100%控股；安徽省投同樣由合肥省國資委100%持股。合肥集鑫為員工持股平臺。也就是說，在長鑫科技的主要股東中，合肥國資占據(jù)不少位置。

長鑫科技現(xiàn)任董事長朱一明為兆易創(chuàng)新創(chuàng)始人、董事長，2018年7月至2023年，先后任長鑫存儲董事、董事長、首席執(zhí)行官；2020年5月至2023年4月，任長鑫科技首席執(zhí)行官；2021年2月至今，升任董事長。

資料顯示，2005年，朱一明回國創(chuàng)辦兆易創(chuàng)新。3年后，兆易創(chuàng)新推出了中國第一顆自主設(shè)計的180nm SPI NOR Flash芯片。2013年4月，兆易創(chuàng)新推出首顆國產(chǎn)基于Arm Cortex-M3的MCU。2016年8月，兆易創(chuàng)新登陸上交所主板。

也是在兆易創(chuàng)新上市這一年（2016年5月），朱一明與合肥政府就一項(xiàng)存儲器項(xiàng)目的發(fā)展戰(zhàn)略進(jìn)行研討，其被稱為“506”項(xiàng)目。一個月后，長鑫科技的前身在合肥注冊成立。2017年10月，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投簽署為期5年的合作協(xié)議，雙方將在合肥經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)聯(lián)合開展19nm制程的12英寸晶圓存儲器研發(fā)項(xiàng)目，項(xiàng)目預(yù)算約180億元人民幣，由雙方按1:4比例籌集，合肥產(chǎn)投承擔(dān)約144億元。

2018年7月，長鑫科技驗(yàn)證投片并試產(chǎn)8GBDDR4工程樣品；2019年9月，長鑫科技推出自主設(shè)計生產(chǎn)的8Gb DDR4產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了中國大陸DRAM產(chǎn)業(yè)從零到一的突破。

目前，長鑫科技在合肥、北京兩地?fù)碛?座12英寸DRAM晶圓廠，產(chǎn)能規(guī)模位居中國第一、全球第四。長鑫科技采取“跳代研發(fā)”的策略，完成了從第一代工藝技術(shù)平臺到第四代工藝技術(shù)平臺的以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產(chǎn)品覆蓋和迭代，目前核心產(chǎn)品及工藝技術(shù)已達(dá)到國際先進(jìn)水平。

按出貨量和銷售額統(tǒng)計，長鑫科技已是中國第一、全球第四的DRAM廠商。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，基于銷售額測算，2025年三星電子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市場的占有率分別為33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企業(yè)合計占全球DRAM市場90%以上的市場份額。按2025年第四季度DRAM銷售額統(tǒng)計，長鑫科技的全球市場份額已增至7.67%。

02

預(yù)計上半年實(shí)現(xiàn)千億營收

虧損曾是長鑫科技持續(xù)面臨的問題。2023年-2025年，長鑫科技的收入分別為90.87億元、241.78億元、617.99億元；歸母凈利潤分別為-163.4億元、-71.45億元、18.75億元。

在毛利率方面，2023年-2025年，長鑫科技的綜合毛利率分別為-1.93%、5.58%、40.99%。長鑫科技表示，2025年，隨著公司規(guī)模應(yīng)持續(xù)顯現(xiàn)及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，同時得益于2025年DRAM產(chǎn)品價格大幅上漲，公司綜合毛利率已轉(zhuǎn)正并大幅提升。

對比來看，2025年，三星電子的綜合毛利率為39.38%，SK海力士的綜合毛利率為60.41%，美光科技的綜合毛利率為39.79%。長鑫科技的毛利率水平已與三星電子、美光科技相當(dāng)。

長鑫科技表示，截至2025年12月31日，公司累計虧損為366.5億元。DRAM行業(yè)具有規(guī)模導(dǎo)向?qū)傩?。為增?qiáng)產(chǎn)品的市場占有率和競爭力，公司需要持續(xù)提升產(chǎn)能規(guī)模，而廠房及產(chǎn)線建設(shè)等需要高額的固定資產(chǎn)投入，對應(yīng)固定資產(chǎn)折舊金額較大。報告期內(nèi)，公司處于產(chǎn)能快速爬坡階段，產(chǎn)線持續(xù)建設(shè)并不斷升級，相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)固后產(chǎn)生的折舊等固定成本較高且金額持續(xù)增加，新增產(chǎn)能帶來的規(guī)模效應(yīng)尚未完全顯現(xiàn)。

2023年-2025年，長鑫科技固定資產(chǎn)賬面價值分別為844.52億元、1531.32億元和1830.24億元，占期為43.81%、56.38%和54.34%，占比較高且金額持續(xù)增加。同期，計提固定資產(chǎn)折舊額分別為105.55億元、148.75億元、246.8億元，呈上升趨勢。

此外，由于DRAM行業(yè)具有周期性，相關(guān)企業(yè)業(yè)績波動較大。長鑫科技在招股書中直言，2025年下半年以來，產(chǎn)品價格的持續(xù)上漲帶動了公司產(chǎn)品銷售毛利率和利潤水平的快速提升，并推動公司2025年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。未來，如果宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)生不利變化或DRA行業(yè)進(jìn)入下行周期，出現(xiàn)下游市場需求疲軟或產(chǎn)品供應(yīng)遠(yuǎn)大于需求的情況，公司的產(chǎn)品銷售價格和經(jīng)營業(yè)績將面臨不利影響并出現(xiàn)波動。

不過，目前仍是DRAM行業(yè)的上行周期。長鑫科技表示，2026年上半年，隨著DRAM行業(yè)產(chǎn)品價格的持續(xù)上漲，以及公司產(chǎn)銷規(guī)模的持續(xù)增長、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的不斷優(yōu)化，公司預(yù)計營業(yè)收入、凈利潤、歸母凈利潤和扣非后歸母凈利潤較上年同期均實(shí)現(xiàn)大幅增加。

長鑫科技預(yù)期，2026年上半年收入為1100億元-1200億元，同比增長612.53%-677.31%；歸母凈利潤500億元-570億元，同比增長2244.03%-2544.19%。

03

仍有一定的技術(shù)代際差距

長鑫科技在招股書中直言，公司工藝技術(shù)水平等與三星電子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距。資料顯示，長鑫存儲、長鑫新橋、長鑫集電為長鑫科技重要的經(jīng)營主體。

2025年11月，長鑫存儲發(fā)布了速率達(dá)8000MT/s的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，提供16Gb和24Gb兩種單顆顆粒容量，全面覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦等應(yīng)用場景。但三星電子、SK海力士及美光科技早已在2023年便推出了32Gb DDR5芯片，由此對比，長鑫存儲與國際領(lǐng)先技術(shù)還有一個代際的技術(shù)差異。

在AI必需的HBM（高寬帶內(nèi)容）方面，長鑫科技也存在一定的技術(shù)差距。資料顯示，HBM通過將多層內(nèi)存芯片垂直堆疊，直接與AI芯片集成。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計極大提升了數(shù)據(jù)傳輸速度，同時降低了功耗。HBM制造工藝極其復(fù)雜，對良率和量產(chǎn)能力要求極高。

目前，全球HBM產(chǎn)能由三星電子、SK海力士及美光科技壟斷。SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）中國總裁馮莉表示，2026年HBM市場規(guī)模增長58%至546億美元，占DRAM市場近四成，需求的徒增，導(dǎo)致供需失衡。盡管，三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增/可調(diào)配產(chǎn)能傾斜至HBM，但HBM產(chǎn)能缺口達(dá)50%-60%。

2025年10月，有消息稱，長鑫存儲已向中國客戶交付16納米制程的HBM3樣品，預(yù)計2026年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。2026年4月，又有消息稱，長鑫存儲已啟動了12層高帶寬內(nèi)存HBM的大規(guī)模生產(chǎn)，其計劃將約20%的現(xiàn)有DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM制造。

據(jù)媒體報道，目前長鑫HBM3的良率較國際頭部廠商低30個百分點(diǎn)以上，且面臨EUV光刻機(jī)、特種氣體等關(guān)鍵設(shè)備和材料的供應(yīng)鏈約束，量產(chǎn)爬坡仍需時間。

在技術(shù)追趕下，此次長鑫科技上市擬募資295億元。其中，75億元用于存儲器品圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造項(xiàng)目；130億元用于DRAM存儲器技術(shù)升級項(xiàng)目；90億元用于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。其表示，項(xiàng)目實(shí)施后，能夠滿足公司在DRAM行業(yè)進(jìn)一步提高技術(shù)及研發(fā)實(shí)力和加快產(chǎn)能建設(shè)與升級的需要。

隨著AI的迅速發(fā)展，存儲芯片行業(yè)迎來新的發(fā)展機(jī)遇，以長鑫科技為首的DRAM國產(chǎn)企業(yè)們，業(yè)績迎來爆發(fā)式增長，同時也在努力追趕國際領(lǐng)先技術(shù)。但技術(shù)代際的差距以及DRAM行業(yè)固有的周期性波動，仍是其前行路上的嚴(yán)峻考驗(yàn)。此次科創(chuàng)板上市募資，既是長鑫科技加速技術(shù)迭代與產(chǎn)能升級的關(guān)鍵一步，也是其應(yīng)對未來挑戰(zhàn)的戰(zhàn)略布局。

作者丨五仁

來源丨征探財經(jīng)（ID:teccj6)