半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈共振國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體迎替代加速期
近日,華為在2026國(guó)際電路與系統(tǒng)研討會(huì)上正式發(fā)表半導(dǎo)體領(lǐng)域新定律——“韜(τ)定律”,以“時(shí)間縮微”替代“幾何縮微”的新范式,有望打開(kāi)國(guó)產(chǎn)芯片的性能天花板,成為中國(guó)在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域首次提出指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。
當(dāng)前全球AI算力仍處于高景氣周期,半導(dǎo)體從上游設(shè)備材料到下游封測(cè)迎來(lái)全產(chǎn)業(yè)鏈共振。“韜定律”為面臨先進(jìn)制程封鎖的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了不依賴(lài)極致物理制程的方案,技術(shù)突破有望加速?lài)?guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的導(dǎo)入進(jìn)程。2026年,無(wú)論是存儲(chǔ)芯片還是先進(jìn)制程,半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)或?qū)⒋蠓崴?,?guó)產(chǎn)替代有望加速推進(jìn)。
隨著存儲(chǔ)與AI芯片需求爆發(fā),當(dāng)前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展超預(yù)期。一方面,存儲(chǔ)芯片迎來(lái)“量?jī)r(jià)齊升”的新周期。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司一季度業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng),同時(shí)資本化進(jìn)程提速,頭部企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏為上游設(shè)備與材料廠商帶來(lái)了訂單確定性。與此同時(shí),TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)顯示,2026年一季度通用型DRAM合約價(jià)環(huán)比暴漲90%-95%,二季度預(yù)計(jì)續(xù)漲58%-63%;NAND閃存一季度合約價(jià)環(huán)比漲55%-60%,二季度預(yù)計(jì)漲幅高達(dá)70%-75%。
先進(jìn)制程方面,隨著AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)持續(xù),AI芯片2026年資本開(kāi)支預(yù)期不斷提高,全球加快先進(jìn)制程的產(chǎn)能建設(shè),國(guó)內(nèi)也有望迎來(lái)AI算力所需的先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)高峰。同時(shí),國(guó)內(nèi)自主可控需求強(qiáng)化,設(shè)備龍頭正加速供應(yīng)鏈的全面國(guó)產(chǎn)化。DeepSeek-V4等國(guó)產(chǎn)大模型對(duì)本土芯片的深度協(xié)同,有望打破對(duì)海外芯片的依賴(lài),為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈打開(kāi)增量替代空間。
當(dāng)前在算力需求增長(zhǎng)與國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈自主可控的雙重驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體中低端領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;娲?,光刻、檢測(cè)設(shè)備等高端環(huán)節(jié)加速驗(yàn)證。隨著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商資本化進(jìn)程提速以推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)充、國(guó)產(chǎn)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力不斷加強(qiáng)、國(guó)家大基金三期重點(diǎn)扶持,政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)增強(qiáng),行業(yè)正加速供應(yīng)鏈的全面國(guó)產(chǎn)化。
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