據(jù)報(bào)道，我國(guó)計(jì)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃將在2021到2025年期間，舉國(guó)之力，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主，不再受制于人。

01

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體是常溫下導(dǎo)電性介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料，是制作晶體管、集成電路、光電子器件、通信系統(tǒng)的重要材料。

02

半導(dǎo)體發(fā)展史

從1947開(kāi)創(chuàng)的硅文明時(shí)代以來(lái)，半導(dǎo)體分別經(jīng)歷了三個(gè)時(shí)代。第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦等；第三代半導(dǎo)體主要是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中發(fā)展較為成熟的是碳化硅、氮化鎵。

03

第三代半導(dǎo)體

隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、新能源汽車(chē)等高科技的不斷更新發(fā)展，所需求的半導(dǎo)體性能也不斷的提升，傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體的弊端逐漸顯露，人們開(kāi)始注意到第三代半導(dǎo)體的多種性能都優(yōu)于硅半導(dǎo)體，再加上生產(chǎn)技術(shù)提高，原材料制備技術(shù)提升與更加先進(jìn)的設(shè)備，使得生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的成本逐年降低，應(yīng)用市場(chǎng)將會(huì)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。

01氮化鎵

氮化鎵具有耐高溫、高功率處理能力、高的電子遷移率的特點(diǎn)，再加上高的散熱特性使其非常適合應(yīng)用在5G無(wú)線技術(shù)和電源技術(shù)終端設(shè)備領(lǐng)域以及超快充設(shè)備上，與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體設(shè)備相比，氮化硅能夠在較小的面積下具有更好的熱效率和功率效率。在當(dāng)下，其主要應(yīng)用在基站端功率放大器、航空航天等軍用領(lǐng)域，隨著技術(shù)的革新，將逐步走向消費(fèi)電子領(lǐng)域。

02碳化硅

碳化硅半導(dǎo)體材料相比于硅半導(dǎo)體材料有更寬的禁帶寬度，更高的導(dǎo)熱率，更高的電子飽和遷移速度，在高溫、高壓、高頻、功率電子器件中具有顯著的優(yōu)勢(shì)。在智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、等領(lǐng)域有較高的應(yīng)用前景。特斯拉Model 3等高端市場(chǎng)的成功運(yùn)用，未來(lái)汽車(chē)領(lǐng)域?qū)⑹翘蓟璩砷L(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/p>

在當(dāng)今社會(huì)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然是以硅半導(dǎo)體為主，其份額占據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的95%，隨著通信技術(shù)、新興電子科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體將會(huì)凸顯出明顯的優(yōu)勢(shì)，將逐步的取代傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體。

04

科技興國(guó)

美日歐早已意識(shí)到第三代半導(dǎo)體在科技發(fā)展中的重要性，他們的第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)等處于全球領(lǐng)先地位，相比之下，我國(guó)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)較落后，市場(chǎng)份額占據(jù)小。

近幾年在美國(guó)的技術(shù)封鎖與打壓下，我國(guó)也意識(shí)到只有做到自給自足才不會(huì)被卡脖子，將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入到“十四五”規(guī)劃也是為了實(shí)現(xiàn)科技強(qiáng)國(guó)的必要之舉。

我國(guó)計(jì)劃把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，全方位、各領(lǐng)域，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

第一代半導(dǎo)體主要材料：硅、鍺材料。

第二代半導(dǎo)體主要材料：砷化鎵等材料。

第三代半導(dǎo)體主要材料：氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等材料。

第三代半導(dǎo)體主要是由碳化硅和氮化鎵等材料制成。它們可以在高頻、高功率和高溫環(huán)境下工作，廣泛應(yīng)用于5G射頻芯片、軍用雷達(dá)和電動(dòng)汽車(chē)等。這是一個(gè)新興的技術(shù)領(lǐng)域，如果我國(guó)現(xiàn)在加速研究，就有可能以具備話(huà)語(yǔ)權(quán)的技術(shù)參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，甚至實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”。

相關(guān)概念股：氮化鎵類(lèi)（原料）：

1、民德電子（300656）：公司晶睿電子以研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售6、8、12英寸硅片為主，并同時(shí)開(kāi)展硅基GaN和Sis外延的研發(fā)和小批量生產(chǎn)。

2、聚燦光電（300708）：公司目前產(chǎn)品涉及氮化鎵的研發(fā)和生產(chǎn)，外延片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵材料的生長(zhǎng)技術(shù)，芯片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵芯片制作技術(shù)。

3、天箭科技（002977）：公司持有一種氮化鎵微波集成電路脈沖調(diào)制電路為公司實(shí)用新型專(zhuān)利，是針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵應(yīng)用的創(chuàng)新技術(shù)。

4、澳洋順昌（002245）：公司擁有一種氮化鎵基發(fā)光二極管芯片以及一種高光效氮化鎵發(fā)光二極管芯片專(zhuān)利。

5、乾照光電（300102）：公司在砷化鎵和氮化鎵光電器件領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)多年，已積極布局以砷化鎵和氮化鎵材料為基礎(chǔ)的化合物半導(dǎo)體方向。

6、露笑科技（002617）：公司投資百億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園；公司專(zhuān)注第三代半導(dǎo)體晶體產(chǎn)業(yè)，拓展碳化硅在5G GaN on sic HEMT、sic SBD等元器件芯片方面的應(yīng)用。

7、國(guó)星光電（002449）：公司控股美國(guó)子公司RaySent科技是研發(fā)GaN-Si LED技術(shù)為主通過(guò)相關(guān)硅基專(zhuān)有技術(shù)轉(zhuǎn)移給全子公司國(guó)星半導(dǎo)體，后者半導(dǎo)體業(yè)務(wù)范圍包含藍(lán)寶石氮化鎵基的LED芯片，氮化鎵基產(chǎn)品包含藍(lán)寶石顯示屏芯片等。

8、賽微電子（300456）：公司從事第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，主要是氮化鎵材料的生長(zhǎng)和器件的設(shè)計(jì)，公司成功研制8英寸氮化鎵硅基外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件。

9、亞光科技（300123）：成都亞光子公司光華瑞芯主營(yíng)產(chǎn)品為Ga N/GaAs功率放大器芯片、GaN高功率功放管芯等射頻微波芯片。

10、捷捷微電（300623）：公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)的是以sic、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件。

11、華燦光電（300323）：公司正處在第三代半導(dǎo)體技術(shù)布局期，公司已公開(kāi)和非公開(kāi)發(fā)行中有涉及到氮化鎵的產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)規(guī)劃。

12、海特高新（002023）：公司旗下海威華芯建立國(guó)內(nèi)第一條6英寸砷化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，目前已達(dá)到砷化鎵的2000片/月，氮化鎵600片/月的晶圓制造能力。公司部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

13、和而泰（002402）：子公司鋮昌科技已掌握成熟的氮化鎵相控陣核芯片生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于航天、航空等相關(guān)型號(hào)裝備。

14、利亞德（300296）：公司參股Saphlux（持股12.37%）實(shí)現(xiàn)了4英寸半極性氮化鎵材料的量產(chǎn)。

15、揚(yáng)杰科技（300373）：公司正與北京大學(xué)合作研發(fā)垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵二極管。

16、易事特（300376）：公司是國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)基地第二大股東，現(xiàn)主要負(fù)責(zé)碳化硅、氮化鎵功率器件的應(yīng)用技術(shù)研發(fā)工作，已經(jīng)研發(fā)出基于碳化硅、氮化鎵器件的高效DC/AC,雙向DC/DC新產(chǎn)品。

17、士蘭微（600460）：公司已建成6英寸的硅基氮化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線涵蓋材料生長(zhǎng)、器件研發(fā)、GaN電路研發(fā)、封裝、系統(tǒng)應(yīng)用的全技術(shù)鏈。

18、航天發(fā)展（000547）：氮化鎵芯片的生產(chǎn)與研發(fā)是旗下系統(tǒng)研究院的主要任務(wù)之一。

19、兆馳股份（002429）：公司能夠獨(dú)立完成“藍(lán)寶石平片--圖案化基板PSS--LED外延片--LED芯片”整個(gè)制作流程，有氮化鎵外延片，能夠全面的芯片解決方案。

20、華天科技（002185）：公司有氮化鎵芯片封裝業(yè)務(wù)。

21、聞泰科技（600745）：旗下安世集團(tuán)擁有生產(chǎn)氮化鎵相關(guān)技術(shù)，安世半導(dǎo)體生產(chǎn)GaN產(chǎn)品，車(chē)載GaN已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質(zhì)的氮化鎵供應(yīng)商之一。

22、三安光電（600703）：公司專(zhuān)注于碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體新材料所涉及到的核心主業(yè)研發(fā)。

碳化硅類(lèi)（原料）：

東尼電子、臺(tái)基股份、斯達(dá)半導(dǎo)、笑露科技、京運(yùn)通、麥格米特、楚江新村、華潤(rùn)微、易事特、利歐股份、晶盛機(jī)電、三安光電

金剛石類(lèi)（原料）：

岱勒新材、高測(cè)股份、沃爾德、美暢股份、四方達(dá)、豫金剛石、恒星科技、黃河旋風(fēng)、東尼電子

氧化鋅類(lèi)（原料）：

羅平鋅電、豫光金鉛、中色股份

氧化鋁類(lèi)：麗島新材、云鋁股份、南山鋁業(yè)、中國(guó)鋁業(yè)。

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